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【服務(wù)能力】可靠性試驗部分測試項目介紹
可靠性試驗的目的
可靠性試驗的目標是通過模擬和加速半導體元器件在整個壽命周期 中遭遇的各種情況（器件應(yīng)用壽命長短） 可靠性試驗?zāi)康模菏乖囍齐A段的產(chǎn)品達到預(yù)定的可靠性指標。對產(chǎn)品的制作過程起監(jiān)控作用。根據(jù)試驗制定出合理的工藝篩選條件。通過試驗可以對產(chǎn)品進行可靠性鑒定或驗收。通過試驗可以研究器件的失效機理。
可靠性試驗的分類
溫度循環(huán)試驗(TCT)
目的：利用高低溫對膨脹和收縮的機械密封應(yīng)力 作用下的非密封封裝固態(tài)器件的耐久性
檢測能力：溫度范圍：-75℃~250℃
覆蓋產(chǎn)品：模塊、MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR， 等分立半導體器件
執(zhí)行標準：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義等
高溫儲存試驗(HTSL)
目的：評估產(chǎn)品長時間暴露在高溫下的耐久性
檢測能力：溫度最高300℃
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半導體器件 執(zhí)行標準：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義等
高溫柵偏試驗(HTGB)
目的：評估器件此測試加速介質(zhì)擊穿并檢查柵氧 化層質(zhì)量。
檢測能力：溫度最高200℃，電壓最高2000V
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、等半導體器件
執(zhí)行標準：JEDEC，AEC或客戶自定義等
高溫反偏試驗（HTRB)
目的：評估器件在最大額定反向直流電壓和結(jié)溫 下的持久能力
檢測能力：溫度最高200℃，電壓最高2000V
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半導體器件 執(zhí)行標準：JEDEC，AEC或客戶自定義等
熱疲勞試驗(TFAT)
目的：評估抵抗由間歇施加負載引起的結(jié)溫波動 的能力。
檢測能力：0～80.0V/0～60A
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR， Power module(IGBT/Diodes/SCR)等分立半導體器件
執(zhí)行標準：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義等
Power module
檢測能力：0-500A
覆蓋產(chǎn)品：Power module(IGBT/Diodes/SCR)等分立半導體器件
高溫高濕反偏壓試驗(H3TRB)
目的：評估器件在高溫下最大額定直流電壓和濕 度的綜合影響下器件的能力。
檢測能力：溫度-45~150℃；濕度：0-99%RH,電壓最高300V
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR， Power module(IGBT/Diodes/SCR)等分立半導體器件
執(zhí)行標準：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義等
高壓鍋試驗(PCT)
目的：主要適用于產(chǎn)品抗?jié)裥栽u估及堅固性測試， 評估元器件在高溫和高壓條件下抵抗潮濕相關(guān)失 效的能力
檢測能力：溫度121℃ 濕度100%
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、DIODE、Transistor、SCR，等分立半導 體器件
執(zhí)行標準：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義等
加速抗?jié)裥栽囼?UHAST)
目的：這個測試方法主要適用于抗?jié)裥栽u估和堅固性測試，并可能被用作無偏置高壓鍋試驗的替代品
檢測能力：溫度130℃ 濕度85%/溫度110℃ 濕度85% 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、DIODE、Transistor、SCR，等分立半導體器件
執(zhí)行標準：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義等
高加速溫度濕度應(yīng)力試驗(HAST)
目的：評估元器件在通電，高溫，高濕和高壓條件下抵抗潮濕相關(guān)失效的能力
檢測能力：溫度130℃ 濕度85%/溫度110℃ 濕度85%
With bias
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、DIODE、Transistor、SIC等分立半導體器件
執(zhí)行標準：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義等
預(yù)處理（Pre-con)
目的：模似器件在包裝，運輸 ，貼片過程中影響 產(chǎn)品的性能評估
檢測能力：室溫~400℃；加熱溫區(qū)：上10/下10
覆蓋產(chǎn)品：所有SMD類型器件
執(zhí)行標準：JEDEC，AEC或客戶自定義等
濕氣敏感度等級評估（MSL)
實驗?zāi)康模涸u估產(chǎn)品對濕氣的敏感度
評估那些由濕氣所誘發(fā)應(yīng)力敏感的非密封固態(tài)表面貼裝元器件的分類,以便對其進行正確的封裝, 儲存和處理, 以防回流焊和維修時損傷元器件。
低溫儲存試驗(LTSL)
目的：低溫儲存試驗具有代表性的被用來判斷溫 度和時間對儲存環(huán)境下固態(tài)電子元器件的影響 （熱激活失效機制）
檢測能力：溫度低-75 ℃
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半導體器件 執(zhí)行標準：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義等
ESD
檢測能力：HBM最大電壓：8000V；MM最大電壓：800V
覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、IC等產(chǎn)品
執(zhí)行標準：MIL，AEC等
上海簡戶儀器設(shè)備有限公司是一家高科技合資企業(yè),生產(chǎn)銷售鹽霧箱、恒溫恒濕機、冷熱沖擊機、振動試驗機、機械沖擊機、跌落試驗機的環(huán)境試驗儀器的公司，研發(fā)生產(chǎn)銷售經(jīng)營各類可靠性環(huán)境試驗設(shè)備。經(jīng)驗豐富，并得到許多國內(nèi)外廠商的信賴與支持。
自公司成立以來,多次服務(wù)于國內(nèi)外大學和研究所等檢測機構(gòu),如清華大學、蘇州大學、哈爾濱工業(yè)大學、北京工業(yè)大學、法國申美檢測、中科院物理所、中科院，SGS等**單位提供實施室方案和設(shè)備及其相關(guān)服務(wù)。努力開發(fā)半導體、光電、光通訊、航天太空、生物科技、食品、化工、制藥等行業(yè)產(chǎn)品所需的測試設(shè)備裝置。公司擁有一支的研發(fā)、生產(chǎn)和售後隊伍，從產(chǎn)品的研發(fā)到售后服務(wù)，每一個環(huán)節(jié)都以客戶的觀點與需求作為思考的出發(fā)點。
為適應(yīng)市場快速變化及客戶多樣化的要求，上海簡戶儀器設(shè)備有限公司研發(fā)了性能與可靠性**JianHuTest產(chǎn)品系列.從精密零件到電腦資訊系統(tǒng)及有線無線通訊產(chǎn)業(yè)，均可提供高品質(zhì)的設(shè)備與完善的售后服務(wù)。
上海簡戶榮獲企業(yè)，表明上海簡戶在技術(shù)、科技成果轉(zhuǎn)化、擁有自主知識產(chǎn)權(quán)等方面得到了國家的高度認可。簡戶一直秉承"服務(wù)以人為本"的宗旨，為廣大客戶提供精良的設(shè)備及優(yōu)質(zhì)的服務(wù)，提供的送貨上門、安裝調(diào)試、一年的設(shè)備保養(yǎng)、終身維修，技術(shù)指導服務(wù)。始終如一的以"努力、合作、飛躍"的精神自我完善、不斷發(fā)展、讓客戶與公司實現(xiàn)雙贏局面。
簡戶是集設(shè)計、銷售、研發(fā)、維修服務(wù)等為一體的綜合集團公司，從產(chǎn)品的研發(fā)到售后服務(wù)，每一個環(huán)節(jié)之間，都以客戶的觀點與需求作為思考的出發(fā)點，提供的環(huán)境設(shè)備。公司創(chuàng)始人從事儀器設(shè)備行業(yè)20余年，經(jīng)驗豐富、資歷雄厚，帶領(lǐng)簡戶公司全體同仁攜手共建輝煌明天。公司成立以來，積極投入電子電工，航空，航天，生物科技，各大院校，及科研單位等行業(yè)所需的產(chǎn)品測試設(shè)備裝置。
簡戶擁有一支的研發(fā)、生產(chǎn)和售后服務(wù)隊伍，從產(chǎn)品的研發(fā)到售后服務(wù)，每一個環(huán)節(jié)都以客戶的觀點與需求作為思考的出發(fā)點，目前擁有博士學位2人，碩士5人，參與環(huán)境試驗箱國家標準起草和發(fā)行。企業(yè)制定標準，行業(yè)里通過ISO9001。是中國儀器儀表學會會員和理事單位。曾榮獲CCTV《中國儀器儀表20強品牌》殊榮，2010年入駐上海世博會民企館。簡戶自創(chuàng)辦以來，參與3項國家標準起草與制定，獲得40+件原創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)、軟著、集成電路)，6次獲得上?？萍夹椭行∑髽I(yè)稱號，合作過3200+家合作客戶(其中世界500強高校600家)。
簡戶儀器今后必將牢記為客戶提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品和服務(wù)的宗旨，不忘為行業(yè)貢獻前沿科學和技術(shù)的初心，再接再厲，砥礪前行！
【簡戶儀器簡介:成立2005年，是一家研發(fā)，生產(chǎn)，銷售及售后齊全的綜合性設(shè)備生產(chǎn)單位，多次評為科技型中小企業(yè)，并是國家高新技術(shù)企業(yè)，客戶遍布高分子，汽車，半導體，塑膠，五金，科研院校，第三方檢測等】
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